汪耀祖博士是杭州立昂东芯微电子有限公司首席运营官，浙江省领军型创新团队负责人以及浙江省射频集成电路制造技术省级重点企业研究院负责人和首席科学家。汪耀祖博士是砷化镓器件与制造工艺技术专家。已经在砷化镓射频集成电路领域工作了近20年，在设备与工艺集成、产品管理具有丰富的经验。他曾在美国领导或参与了8项新技术、新产品的研发，其中3项为“世界第一”。他具有丰富的建厂和大规模产业化经历，曾负责或参与了4项建厂和大规模量产项目。已经在国际知名刊物和国际会议上发表论文30余篇，其中第一作者26篇，引用超过百余次，已申请具有自主知识产权的发明专利４项，获得7项重大奖项。汪耀祖博士于1998年从美国宾西法尼亚州立大学取得微电子工程科学博士学位。

汪耀祖博士现在率领团队在立昂东芯自主开发商业应用广泛的高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT）和0.1-0.5微米的砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）射频集成电路（RFIC）生产工艺技术。建立6英砷化镓RFIC 芯片生产线，制造0.5微米以下的射频集成电路产品， 并将开发氮化镓（GaN HEMT）技术应用于无线射频通讯。

教育经历

1. 1993.9~ 1998.8    美国宾西法尼亚州立大学微电子工程科学博士学位(Ph.D.)
2. 1985.9 ~1988.12   中国矿业大学（北京）材料工程科学硕士学位(M.S. )
3. 1981.9 ~ 1985.7    湖南大学材料工程科学学士学位(B.S. )

工作经历

1. 2015.9 至 现在 中国杭州立昂东芯微电子有限公司首席运营官
2. 2009.2至 2015.8 美国安利吉半导体公司资深主任工程师、总监
3. 2006.2至 2008.2 美国安利吉半导体公司资深主任工程师、项目经理
4. 2002.2至 2005.2 美国安利吉半导体公司主任工程师、项目经理
5. 1998.9至 2002.2 美国安利吉半导体公司资深工程师
6. 1989.1 至 1993.5 中国矿业大学（北京）讲师
7. 2004.9 至 2015.8 美国新泽西州芳草地中文学校创始人、校长

获得奖项

1. 浙江省领军型创新团队：第二代微波射频电路芯片大规模产业化，2016
2. 浙江省重点企业研究院：射频集成电路制造技术，2016
3. 美国安利吉公司杰出贡献奖：BiFET制造工艺整合及优化，2009
4. 美国安利吉公司杰出贡献奖：世界上第一个6英寸砷化镓芯片工厂，1999
5. 美国安利吉公司贡献奖：ALT6181MMPA产品量产，2012
6. 中国能源部科技进步奖：碳化硅晶须制造工艺技术，2002

国际组织兼职

1. 2014年至今，中国旅美科技协会大纽约分会（CAST-USA GNY）副主席/执行理事
2. 1999年至今，智能材料与结构（Smart Materials and Structure）评审